DC-DC升壓和降壓電路電容使用誤區(qū)與經(jīng)驗(yàn)談

DC-DC升壓和降壓電路電容使用誤區(qū)與經(jīng)驗(yàn)談
電容的使用誤區(qū)與經(jīng)驗(yàn)談

使用經(jīng)驗(yàn)：

　　在電路中不能確定線(xiàn)路的極性時(shí)，建議使用無(wú)極電解電容。通過(guò)電解電容的紋波電流不能超過(guò)其充許范圍。如超過(guò)了規(guī)定值，需選用耐大紋波電流的電容。電容的工作電壓不能超過(guò)其額定電壓。在進(jìn)行電容的焊接的時(shí)候，電烙鐵應(yīng)與電容的塑料外殼保持一定的距離，以防止過(guò)熱造成塑料套管破裂。并且焊接時(shí)間不應(yīng)超過(guò)10秒，焊接溫度不應(yīng)超過(guò)260攝氏度。

四個(gè)誤區(qū)：

● 電容容量越大越好

　　很多人在電容的替換中往往愛(ài)用大容量的電容。我們知道雖然電容越大，為IC提供的電流補(bǔ)償?shù)哪芰υ綇?qiáng)。且不說(shuō)電容容量的增大帶來(lái)的體積變大，增加成本的同時(shí)還影響空氣流動(dòng)和散熱。關(guān)鍵在于電容上存在寄生電感，電容放電回路會(huì)在某個(gè)頻點(diǎn)上發(fā)生諧振。

　　在諧振點(diǎn)，電容的阻抗小。因此放電回路的阻抗*小，補(bǔ)充能量的效果也*好。但當(dāng)頻率超過(guò)諧振點(diǎn)時(shí)，放電回路的阻抗開(kāi)始增加，電容提供電流能力便開(kāi)始下降。
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　　電容的容值越大，諧振頻率越低，電容能有效補(bǔ)償電流的頻率范圍也越小。從保證電容提供高頻電流的能力的角度來(lái)說(shuō)，電容越大越好的觀(guān)點(diǎn)是錯(cuò)誤的，一般的電路設(shè)計(jì)中都有一個(gè)參考值的。

● 同樣容量的電容，并聯(lián)越多的小電容越好

　　耐壓值、耐溫值、容值、ESR(等效電阻)等是電容的幾個(gè)重要參數(shù)，對(duì)于ESR自然是越低越好。ESR與電容的容量、頻率、電壓、溫度等都有關(guān)系。

　　當(dāng)電壓固定時(shí)候，容量越大，ESR越低。在板卡設(shè)計(jì)中采用多個(gè)小電容并連多是出與PCB空間的限制，這樣有的人就認(rèn)為，越多的并聯(lián)小電阻，ESR越低，效果越好。理論上是如此，但是要考慮到電容接腳焊點(diǎn)的阻抗，采用多個(gè)小電容并聯(lián)，效果并不一定突出。

● ESR越低，效果越好

　　結(jié)合我們上面的提高的供電電路來(lái)說(shuō)，對(duì)于輸入電容來(lái)說(shuō)，輸入電容的容量要大一點(diǎn)。相對(duì)容量的要求，對(duì)ESR的要求可以適當(dāng)?shù)慕档汀Ｒ驗(yàn)檩斎腚娙葜饕悄蛪海浯问俏誐OSFET的開(kāi)關(guān)脈沖。對(duì)于輸出電容來(lái)說(shuō)，耐壓的要求和容量可以適當(dāng)?shù)慕档鸵稽c(diǎn)。

　　ESR的要求則高一點(diǎn)，因?yàn)檫@里要保證的是足夠的電流通過(guò)量。但這里要注意的是ESR并不是越低越好，低ESR電容會(huì)引起開(kāi)關(guān)電路振蕩。而消振電路復(fù)雜同時(shí)會(huì)導(dǎo)致成本的增加。板卡設(shè)計(jì)中，這里一般有一個(gè)參考值，此作為元件選用參數(shù)，避免消振電路而導(dǎo)致成本的增加。

● 好電容代表著高品質(zhì)

　　“唯電容論”曾經(jīng)盛極一時(shí)，一些廠(chǎng)商和媒體也刻意的把這個(gè)事情做成一個(gè)賣(mài)點(diǎn)。在板卡設(shè)計(jì)中，電路設(shè)計(jì)水平是關(guān)鍵。和有的廠(chǎng)商可以用兩相供電做出比一些廠(chǎng)商采用四相供電更穩(wěn)定的產(chǎn)品一樣，一味的采用高價(jià)電容，不一定能做出好產(chǎn)品。衡量一個(gè)產(chǎn)品，一定要全方位多角度的去考慮。

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